비스타 ReadyBoost

비스타 ReadyBoost 기능 때문에 이번에 따로 ReadyBoost용 플래시 메모리를 구입하게 되었다. 2G를 보내자 다가온 4G에서 주운 4G의 플래시 메모리도 ReadyBoosy에 사용할 수 있지만 무작위 읽기 속도가 10M 정도 밖에 나오지 않고 MLC 방식이라 무작위 읽기 속도가 30M 이상의 SLC 제품을 구입하게됐다. MLC(Multi Level Cell)와 SLC(Single Level Cell)의 기술적인 차이점은 나중에 설명하기로 하고 여기서 두 메모리의 장단점만 먼저 살표 보도록 하겠다.

항목	SLC	MLC
속도	빠름	느림
호환성	높음	낮음
안전성	높음	낮음
가격	높음	낮음

위의 표에서 알 수 있듯이 SLC는 MCL에 비해 가격이 비싸다는 것을 빼면 모든 점에서 더 나은 성능을 보이고 있다. 따라서 ReadyBoost용 플래시 메모리는 MLC 방식 보다는 SLC 방식이 유리하다. 물론 SLC 방식보다 더 빠른 MLC라는 제품(읽기 19M, 쓰기 11.5M)도 선보이고 있지만 실제 확인해 보면 그래도 SLC 방식이 더 빠르다.

일단 플래시 메모리를 구입하면서 먼저 염두에 두었던 제품은 minerva님이 USB 플래시 메모리와 Vista ReadyBoost라는 글을 통해 소개해 준 삼성 SUM-2GPS였다. 이 제품은 빠르다는 평은 있지만 시중에서는 구할 수없었다.

속도가 빠른 제품은?

따라서 외국의 벤치마크를 보고 무작위 전송 속도가 빠른 제품을 확인하던 중 다음과 같은 제품들이 눈에 띄었다. 이외에도 여러 제품이 있지만 A-Data는 국내에서 쉽게 구할 수 있는 제품이고 Kingstone은 쉽게 구할 수는 없지만 무작위 읽기/쓰기 속도가 너무 빨라 인상적이었기 때문이다.

동작	제품	0.5	2	8	82	128	512	2048	8192	32768
무작위 읽기	A-Data PD7	0.98	1.03	1.20	1.79	4.70	17.48	68.70	273.58	1092.90
	Kingston Elite	0.5	0.54	0.75	1.63	5.53	22.18	88.48	354.07	1418.04
무작위 쓰기	A-Data PD7	18.62	18.73	18.96	19.82	24.06	41.55	111.49	393.03	1518.23
	Kingston Elite	172.90	174.65	108.65	115.02	206.69	792.30	3266.46	12896.58	54270.77

Kingston Elite의 무작위 쓰기 속도를 보면 다른 플래시 메모리에 비해 무려 30배를 훌쩍 넘기고 있었다. 과연 이 수치가 가능한 것인지 의아했지만 어차피 국내에서 구할 수 없는 제품이라 일단 A-Data PD7로 마음을 잡았다. 그리고 최저 가격을 알아 보던 중 눈에 띈 녀석이 스카이디지탈의 SKY-DRVx2 SLC 스윙 듀오였다. 일단 플래시 메모리의 뚜껑이 일체형(스윙)이라 마음에 들었고 듀얼 밴드라는 점도 마음에 들었기 때문이다.

그런데 정작 중요한 정보인 메모리 속도는 제품 설명에 포함되어 있지 않았다. 결국 스카이디지탈에 전화해서 이 메모리의 속도를 알아봤다. 이름을 보면 듀오가 있고 쿼드가 있는데 두 제품의 속도차이는 없으며, 용량만 4G(듀오), 8G(쿼드)로 달랐다. 또 '순차 읽기/쓰기 속도는 23M/13M'이고 '무작위 읽기/쓰기 속도는 23M/4M'라고 한다.

벤치마크

플래시 메모리의 읽기 속도는 순차 읽기나 무작위 읽기나 거의 비슷하게 나온다. A-Data의 순차 전송 속도는 읽기 30M 쓰기 20M 이상 나오기 때문에 당연히 A-Data의 MyFlash PD7(4G)를 구입하게되었다.

ATTO 벤치 결과

A-Data	ZyRUS	PQi
33.4/20.9	13.7/3.8	17.3/3.6

내가 가지고 있는 플래시 메모리의 순차 읽기/쓰기 속도이다. A-Data의 속도가 단연 빠르다. 반면에 순차 읽기 속도는 ZyRUS 보다는 PQi가 더 빠르다는 것을 알 수 있다.

A-Date와 ZyRUS의 순차/무작위 읽기 속도

A-Data
ZyRUS

A-Data와 ZyRUS의 순차 읽기 속도와 무작위 읽기 속도를 비교해 보면 알 수 있지만 읽기 속도는 거의 같다. 반도체 메모리의 주소를 무작위로 접근(Random Access)하기 때문이다.